33 preguntas esenciales de la entrevista sobre transistores (BJT, FET y MOSFET)

by

Preguntas de entrevista más frecuentes sobre transistores en el tema como BJT, FET y MOSFET.

1.   BJT is

  1. un dispositivo de control de voltaje
  2. un dispositivo controlado por corriente
  3. un dispositivo de temperatura controlada
  4. ninguno de esos

Respuesta - (2)

2. En NPN BJT los electrones se energizan en

  1. unión sesgada hacia adelante
  2. unión polarizada inversa
  3. región a granel
  4. ambas uniones

Respuesta - (4)

3. Cuando un transistor que opera en el centro de la línea de carga está disminuyendo, la ganancia de corriente cambiará el punto Q

  1. DE INSCRIPCIÓN
  2. up
  3. en ninguna parte
  4. de la línea de carga

Respuesta - (3)

4. El voltaje de salida de un amplificador de emisor común es

  1. amplian
  2. marcha atrás
  3. 180 ° fuera de fase con la entrada
  4. todos estos

Respuesta - (1)

5. El nivel de dopaje de la sección emisora ​​de un transistor debe ser

  1. Más que el coleccionista y la base.
  2. Más pequeño que el colector y la base.
  3. menor que la región base pero mayor que la región colectora
  4. Más que solo la región base

Respuesta - (3)

6. Un BJT utilizado en ofertas configuradas con Common Emitter

  1. baja impedancia de entrada y alta salida
  2. alta impedancia de entrada y baja salida
  3. impedancias de entrada y salida bajas
  4. altas impedancias de entrada y salida

Respuesta - (2)

7. A Transistor de unión bipolar cuando se usa como interruptor, opera en

  1. región de corte y activa
  2. región activa y de saturación
  3. región de corte y saturación
  4. todos estos

Respuesta - (3)

8. Si para el modelo CE hie  = 1k.ohm, hfe = 50 entonces para colector común modelo hie . Hfe se mostrarán

  1. 1 k.ohm, 50
  2. 1k.ohm, 51
  3. 1/51 k.ohm, 50
  4. 1/51 k.ohmios, -51

Respuesta - (2)

9. La corriente de fuga ICBO fluye a través

  1. terminales de base y emisor
  2. terminales emisor y colector
  3. terminales base y colector
  4. terminales emisor, base y colector

Respuesta - (3)

10. Para apagar un SCR, es esencial disminuir la corriente para que sea menor que

  1. corriente de disparo
  2. sosteniendo la corriente
  3. romper la corriente
  4. ninguno de esos

Respuesta - (1)

11. En un BJT, la región de la base debe ser muy delgada para minimizar la

  1. corriente de deriva
  2. corriente de difusión
  3. corriente de recombinación
  4. corriente de túnel

Respuesta - (3)

12. Una configuración de transistor con la ganancia de corriente más baja es

  1. Base común
  2. emisor común
  3. coleccionista común
  4. seguidor de emisor

Respuesta - (4)

13. Cuando un transistor está actuando como un interruptor, opere en

  1. región de corte
  2. región de saturación
  3. región activa
  4. Ambos A y B

Respuesta - (4)

14. El transistor está conectado en la configuración de base común tiene

  1. alta resistencia de entrada y baja salida
  2. Resistencia de entrada baja y salida alta
  3. baja entrada y baja resistencia de salida
  4. alta resistencia de entrada y salida alta

Respuesta - (1)

15. Un MOSFET de canal N, la fuente y la región de drenaje deben doparse con

  1. material de tipo n
  2. material tipo p
  3. fuente con tipo p y drenaje con material tipo n
  4. ninguno de esos

Respuesta - (2)

16. JFET normalmente funciona

  1. En el modo de corte
  2. En el modo de saturación
  3. En el modo óhmico
  4. En el modo de avería

Respuesta - (3)

17. En un MOSFET de tipo p en la región de acumulación, la banda se dobla

  1. hacia abajo
  2. de lado
  3. hacia arriba
  4. ninguno de esos

Respuesta - (3)

18. Cuando la corriente de saturación del drenaje es> = IDSS un JFET funciona como

  1. El transistor bipolar
  2. La fuente actual
  3. Resistencia simple
  4. Una batería

Respuesta - (3)

19. Se produjo una fuerte inversión en N-MOSFET para la condición

  1. Φ s = Φ F
  2. Φ s  = 2Φ F
  3. Φ s  = 0
  4. Φ s <Φ F

Dónde, Φ s   y Φ F   son la superficie y el potencial de Fermi respectivamente

Respuesta - (2)

20. Un D-MOSFET normalmente funciona en

  1. Solo el modo de agotamiento.
  2. Solo el modo de mejora.
  3. El modo de mejora y de agotamiento.
  4. El modo de pequeña impedancia.

Respuesta - (3)

21. Se realiza la implantación de iones.

  1. a una temperatura más baja que el modo de difusión
  2. a mayor temperatura que el modo de difusión
  3. a lo sumo igual temperatura como difusión modo
  4. ninguno de esos

Respuesta - (1)

22. La condición de banda plana para un capacitor MOS es

  1. Φ s  = 0
  2. Φ s  > 0
  3. Φ s  <0
  4. Φ s  = Φ F

Respuesta - (1)

23. La capa de inversión en un circuito MOS está hecha por

  1. dopaje
  2. ionización de impacto
  3. tunelización
  4. campo eléctrico

Respuesta - (4)

24. En comparación con el fototransistor de efecto de campo, los fototransistores bipolares son

  1. mas sensible y rapido
  2. mas sensible y mas lento
  3. menos sensible y más lento
  4. menos sensible y más rápido

Respuesta - (3)

25. Considere las siguientes declaraciones

El voltaje de umbral de un MOSFET se puede aumentar mediante

  • I.Uso de óxido de puerta más delgado
  • II. reduciendo la concentración de sustrato
  • III. aumentando la concentración de sustrato de estos
  1. Yo solo es correcto
  2. I y II son correctos
  3. I y III son correctos
  4. Yo solo es correcto

Respuesta - (2)

26. La función del SiO2 capa en MOSFET es proporcionar

  1. La alta impedancia de entrada
  2. La alta impedancia de salida
  3. flujo de corriente lleva dentro del canal
  4. Ambos A y B

Respuesta - (3)

27. Por encima del voltaje de pellizco en un JFET, la corriente de drenaje

  1. disminuye
  2. aumenta bruscamente
  3. permanece constante
  4. Ambos A y B

Respuesta - (3)

28. Si V es el voltaje aplicado al metal con respecto al semiconductor de tipo p en un capacitor MOS, entonces V <0 corresponde a

  1. acumulación
  2. agotamiento
  3. inversión
  4. fuerte inversión

Respuesta - (1)

29. El voltaje de banda plana del MOSFET de tipo de mejora de canal n es

  1. positivo
  2. negativas
  3. positivo o negativo
  4. cero

Respuesta - (1)

30. ¿Cuál de los siguientes no es un circuito controlado por voltaje?

  1. MOSFET
  2. IGBT
  3. BJT
  4. JFET

Respuesta - (3)

31. La tensión de pellizco de FET depende de

  1. Ancho de banda
  2. concentración de dopaje del canal
  3. voltaje aplicado
  4. ambos de a & b

Respuesta - (4)

32. Para el diseño de un sistema electrónico de alta velocidad, el preferido debería ser

  1. Si n-MOS
  2. Si p-MOS
  3. N-MOS de GaAs
  4. GaAs p-MOS

Respuesta - (3)

33. ¿Cuál es una cosa importante que realizan los transistores?

  1. Amplifica las señales débiles
  2. rectificar linea de voltaje
  3. Regular el voltaje
  4. Emitir luz

Respuesta - (1)

34. La base de un transistor NPN es delgada y

  1. Muy dopado
  2. Ligeramente dopado
  3. Metálico
  4. Dopado por un material pentavalente

Respuesta - (2)

35. El máximo de electrones en la región base de un transistor NPN no se recombinará por la razón

  1. Tener una larga vida
  2. Tener una carga negativa
  3. Debe fluir mucho a través de la base
  4. Fluye fuera de la base

Respuesta - (1)

     

Deja un comentario